SK하이닉스가 차세대 초고성능 인공지능(AI) 메모리 신제품인 고댁역폭 메모리(HBM)4 개발을 완료하고 세계 최초로 양산 체제를 구축했다고 밝혔다.

12일 조주환 SK하이닉스 부사장(HBM 개발 담당)은 "HBM4 개발 완료는 업계에 새로운 이정표가 될 것"이라며 "고객이 요구하는 성능, 에너지 효율, 신뢰성을 모두 충족하는 제품을 적시에 공급해 경쟁 우위를 확보하고 신속한 시장 진입(Time to Market)을 실현하겠다"라고 말했다. 

HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 크게 높인 고부가가치·고성능 제품으로 AI 칩의 핵심 부품이다. 

최근 AI 수요 급증과 데이터 전력 부담 심화로 빠른 속도와 전력 효율을 동시에 충족하는 메모리 수요가 확대되고 있다. SK하이닉스는 이번 HBM4가 이러한 요구를 충족하는 최적의 설루션이 될 것으로 기대하고 있다. 

신제품 HBM4는 2048개 데이터 전송 통로(I/O) 적용으로 대역폭 2배 확대해 전력 효율 40% 이상 끌어올리는 등 세계 최고 수준의 성능을 구현했다. 고객 시스템에 적용하면 AI 서비스 성능을 최대 69%까지 높이고 데이터 병목 현상을 해소하는 동시에 전력 비용 절감 효과도 기대된다. 

또한 HBM4는 10Gbps(초당 10기가비트) 이상의 동작 속도를 구현해 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 표준 속도인 8Gbps를 크게 웃돌았다.

SK하이닉스는 HBM4 개발에 자체 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정과 10나노급 5세대(1bnm) D램 기술을 적용했다. MR-MUF는 반도체 칩을 적층한 뒤 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 보호재를 주입·경화하는 방식으로 필름형 소재를 층마다 적용하는 기존 방식보다 공정 효율성과 열 방출 성능이 뛰어나다는 평가를 받는다.

김주선 SK하이닉스 AI 인프라 사장(최고마케팅책임자·CMO)은 "HBM4는 AI 인프라 한계를 넘어서는 전환점이자 AI 시대 난제를 해결할 핵심 제품"이라며 "SK하이닉스는 최고 품질의 메모리를 적시에 공급해 풀 스택 AI 메모리 프로바이더로 성장해 가겠다"라고 강조했다. 

여성경제신문 김성하 기자 lysf@seoulmedia.co.kr